サムスン電子が独自開発した半導体核心技術を中国に持ち出した容疑を受けているサムスン電子元研究員に対し警察が拘束令状を申請した。
ソウル警察庁安保捜査隊によると、サムスン電子元首席研究員は産業技術保護法違反容疑が持たれている。
元研究員は2014年にサムスン電子が独自に開発した20ナノDRAM半導体技術工程図700件余りを無断で持ち出し、中国の半導体企業成都高真科技に渡した容疑を受けている。
成都高真科技はサムスン電子役員、ハイニックス副社長を務めた人物が2021年に中国・成都市から約4600億ウォンの投資を受けて設立した会社だ。
元研究員はこの会社の幹部役員として在職中だ。警察は昨年元研究員の自宅を家宅捜索する過程で該当工程図を発見したという。
警察関係者は「成都高真科技に雇用された人、ヘッドハンティング業者など200人以上に対し捜査を進めており、このうち数十人が立件された状態。段階的に確認している」と話した。
Aさんに対する拘束前被疑者尋問(令状実質審査)は16日午前ソウル中央地裁で開かれる。
中央日報日本語版 2024.01.16 07:08
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